Abstract
In order to grow $Bi_4Ge_3O_{12}$ crystals by the Czochralski method equipped with the auto-diameter control system, we used the resistance heater of our own design. We measure the temperature gradients under-arious thermal configurations. The relation between the critical rotation rate corresponding to the flat interface and the temperature gadient was investigated, and the importance of the axial temperature gradient was pointed out. The results from this work were compared with those obtained by other authors when RF heating was used. The optimal conditions for the crystal growth were determined as follows; under $O_2$ atmosphere with the pulling rate fixed at 2 mm/hr, rotation rate changed from 30 to 23 rpm as the crystal growth proceeded, radial and axial temperature gradients were 50 and $40^{\circ}C$/cm near melts respectively, and the composition was chemically stoichiometric.
자동직경제어방식이 부착된 쵸크랄스키법에 의해 $Bi_4Ge_3O_{12}$(BGO) 단결정을 육성하기 위해 저항발열식로를 자체설계로 제작하여 사용하였다. 로 내의 온도 구배는 열적구조를 변화하면서 측정하였다. 각각의 변화된 온도구배와 평평한 계면을 갖는 임계 회전속도의 의존성에 대해 연구하였고 또한 저항발열식 가열에서 수직온도구배의 중요성을 지적하였다. 그것은 RF 가열방식을 사용하였을 때 다른 저자들에 의해 얻어진 결과와 비교되었다. 단결정 육성을 위한 최적조건은 다음과 같다. 산소 분위기하에서 2mm/h로 인상속도를 고정하고 성장이 진행함에 따라 회전속도를 30에서 23rpm으로 변화하였고, 수평 및 수직 온도구배는 융액근처에서 각각 50과 $40^{\circ}C$/cm이었고, 조성은 화학양론 조성이었다.
