Chemical solution derived hydroxyapatite films on Si substrates

화학 용액법으로 Si 기판 위에 제조한 하이드록시아파타이트 박막에 관한 연구

  • 송종은 (전남대학교 세라믹공학과) ;
  • 류현욱 (전남대학교 세라믹공학과) ;
  • 신종윤 (전남대학교 세라믹공학과) ;
  • 김병훈 (전남대학교 세라믹공학과) ;
  • 김윤호 (나주대학교 환경공업과) ;
  • 임용무 (보건대학교 안경광학과)
  • Published : 1999.12.01

Abstract

Hydroxyapatite films were prepared on Si(100) substrates by using a sol-gel method with calcium nitrate and phosphoric acid as starting materials. Precursor sols were spin-coated onto the substrates and prefired at $500^{\circ}C$ for 10 min in air. Formation of the hydroxypatite structure was confirmed in the sample annealed at $500^{\circ}C$ by the X-ray diffraction $\theta$-2$\theta$ scans and a tricalcium phosphate phase was observed in the samples annealed at both temperature regions of $500^{\circ}C$~$700^{\circ}C$ and $900^{\circ}C$. From the results of Fourier transform infrared spectroscopy, the change of a carbon content and improvement of crystallinity have been discussed as a function of increase of annealing temperature.

Ca nitrate와 인산을 혼합한 용액을 졸-겔법을 이용하여 Si(100) 기판 위에 스핀 코팅하여 열처리 함으로써 의치공 재료에 응용되는 하이드록시아파타이트 박막을 제조하였다. Si 기판 위에 아이드록시아파타이트막을 코팅하여 건조시킨 다음, $500^{\circ}C$에서 10분간 초벌구이 열처리를 하였다. X-선 회절 분석을 이용하여 $500^{\circ}C$에서 하이드록시아파타이트 상의 생성을 확인하였고, $500^{\circ}C$~$700^{\circ}C$$900^{\circ}C$에서 각각 tricalcium phosphate상의 생성을 확인하였다. FTIR(Fourier transform infrared spectroscopy)의 결과를 바탕으로 열처리 온도 증가에 따른 탄소량의 변화와 결정화도의 증가를 확인하려 한다.

Keywords

References

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