A Study of Preparation of Antiferroelectric PbZrO₃ Thin Films by Sol-Gel Processing

Sol-gel법에 의한 반강유전성 PbZrO₃ 박막 제작에 관한 연구

The purpose of this study, when one prepared lead zirconate thin films by sol-gel method, was to find the preferred direction of crystal growth and dielectric characteristics for ratio of Pb and Zr. We used the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate, and annealing condition was $800^{\circ}C$ for lminute. When Pb was deficient, preferred direction was <221>. And when it was stoichiometric ratio, they were grown <200> and <221> direction. But they have antiferroelectric properties, they don't appear distinct domain switching.

이 연구의 목적은 lead zirconate 박막을 sol-gel 법으로 제작하는데 있어 Pb와 Zr의 혼합비에 따라 결정의 형성에 있어서 변화와 이에 따른 결정의 성장 선호 방향을 조사하였다. 기판으로는 Pt/Ti/$SiO_2$/Si를 사용하였으며, 결정 형성을 위한 온도는 $800^{\circ}C$로 1분간 유지하였다. Pb가 부족할 경우는 <221>방향으로의 성장이 두드러지고, Pb가 화학당량적 비를 만족한 이후는 <100>와 <221>이 같이 성장하게 된다. 그러나 이들은 모두 반강유전체로서의 특성을 나타내지만 뚜렷한 domain switching을 나타내지는 않는다.