전자공학회논문지S (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics S)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

900MHz GSM 디지털 단말기용 Si BiCMOS RF 송수신 IC 개발 (II) : RF 송신단

An Integrated Si BiCMOS RF Transceiver for 900MHz GSM Digital Handset Application (II) : RF Transmitter Section

  • 이규복 (電子部品綜合技術硏究所) ;
  • 박인식 (電子部品綜合技術硏究所) ;
  • 김종규 (電子部品綜合技術硏究所) ;
  • 김한식 (電子部品綜合技術硏究所)
  • 발행 : 1998.09.01
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초록

본 연구에서는 E-GSM 단말기용 RF Transceiver 칩의 송신부에 대한 회로설계 및 시뮬레이션, 공정 및 제작, 평가를 수행하였다. AMS社의 0.8${\mu}m$ BiCMOS 공정으로 제작된 RF-IC 칩은 $10 {\times} 10mm$ 크기의 80 pin TQFP로 제작되었으며, 3.3V에서 동작하고 양호한 RF 특성을 보였다. 본 논문에서는 IF/RF 상향변조 주파수 혼합기, IF/RF polyphase, 전치증폭기 등을 포함하는 송신부의 개발 결과를 서술하고자 한다. 송산단의 측정결과 E-GSM RF 송신단 주파수인 880~915MHz에서 양호하게 동작하며, 소비전류는 71mA이고 총출력은 8.2dBm으로 측정되었다.

The Transmitter part of single RF transceiver chip for an extended GSM handset application was circuit-designed, fabricated adn evaluated. The RF-IC Chip was processed by 0.8${\mu}m$ Si BiCMOS, 80 pin TQFP of $10 {\times} 10mm$ size, 3.3V operated RF-IC reveals, in general, quite reasonable integrity and RF performances. This paper describes development resuts of RF transmitter section, which includes IF/RF up-conversion mixer, IF/RF polyphase and pre-amplifier. The test results show that RF transmitter section is well operated within frequency range of 880~915MHz, which is defined on the extended GSM(E-GSM) specification. The transmitter section also reveals moderate power consumption of 71mA and total output power of 8.2dBm.

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