전자공학회논문지D (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D)
- 제35D권10호
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- Pages.60-66
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- 1998
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- 1226-5845(pISSN)
Hot carrier에 의한 RF NMOSFET의 성능저하에 관한 연구
A study on the hot carrier induced performance degradation of RF NMOSFET′s
초록
Hot carrier 현상으로 인한 0.8㎛ RF NMOSFET의 성능저하 현상을 일반적인 소자 열화 메커니즘을 이용하여 분석하였다. 게이트 finger가 하나인 기존의 소자 열화 모델을 게이트가 multi finger인 RF NMOSFET에 적용할 수 있었다. Hot carrier 스트레스 후의 차단 주파수와 최대 주파수 감소 현상은 transconductance 감소와 출력 드레인 전도도의 증가로 해석할 수 있었다. Hot carrier로 인한 DC 특성 열화와 RF 특성 열화의 상관관계를 구하였으며 이를 이용하여 DC 특성 열화를 측정하므로 RF 특성 열화를 예측할 수 있게 되었다.
The hot carrier induced performance degradation of 0.8
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