A Design of bias circuit in temperature independent voltage detect circuit

온도에 의존하지 않는 전압 감시회로에서의 바이어스 회로의 설계

  • 문종규 (대원공과대학 전자통신과) ;
  • 백종무 (대원공과대학 전자통신과)
  • Published : 1998.09.01

Abstract

In this paper, a design of bias circuit in temperature independent voltage detect circuit is proposed. In order to realize this intention, we are used the differences in temperature coefficient of thermal voltage, resistor and transistor forward voltage(V$\sub$BE/) which is consisted in comparator. That is, It is realized by compensating the difference of temperature coefficient due to using components with each different temperature coefficient. As well, reference voltage of the circuit is accomplished by the difference of transistor forward voltage($\Delta$V$\sub$BE/) in comparator. In using reference voltage, resistor and V$\sub$BE/ Multiplier, we can design detect voltage of the circuit. In order to test operation of proposing circuit, we manufactured IC. Then, we measured operating characteristics and capability of the circuit by using HP4145B and temperature chamber. The result, we could obtain the good variation of temperature from -0.01 %/$^{\circ}C$ to -0.025 %/$^{\circ}C$.

본 논문에서는 온도에 의존하지 않는 전압 감시회로에서 바이어스 회로에 대한 설계 방법을 제안한다. 제안한 방법을 실현하기 위하여 비교기를 구성하는 트랜지스터의 순방향 전압과 V/sub T/(Thermal Voltage) 그리고 저항 등의 서로 다른 온도계수 차이를 이용한다. 즉, 전압 감시회로에서 각각 다른 온도계수를 갖는 소자를 이용하여 서로 상쇄되도록 바이어스회로를 실현한다. 그리고 전압 감시회로의 기준전압은 비교기를 구성하는 트랜지스터의 순방향 전압 차(△V/sub BE/)를 이용하여 구현한다. 이 기준전압과 저항 및 V/sub BE/ 멀티플라이어를 이용하여 전압 감시회로의 검출전압을 설계한다. 제안한 회로의 동작검증을 위해 IC로 제작하였다. HP4145B와 온도 Chamber를 이용하여 특성을 평가한 결과, 온도변화율이 -0.01 %/℃ ∼ -0.025 %/℃의 양호한 특성을 얻었다.

Keywords