Abstract
We have studied the factors influencing the growth rate of TiN deposited from TDEAT using a bubbler. The growth rate of TiN was primarily dependent on the bubbler temperature, deposition temperature, gas delivery line conductance and carrier gases. In addition, the heating of the gas line through which carrier gas was delivered to the bubbler increased the growth rate slightly. Also heating of the delivery gas line between the bubbler and the chamber caused the increase of the growth rate of TiN, Showing the Arrehenius behaviour with the activation energy of 0.2 eV.
낮은 평형압력을 가진 TDEAT 증착원을 이용하여 TiN증착을 실시한 실험에서 TiN 증착률에 영향을 주는 인지들에 대하여 연구를 실시하였다. TiN성장률은 bubbler 온도, 증 착온도, 운반기체관의 conductance, 운반기체 종류에 따라 큰 영향을 받고 있었다. 또한 bubbler로 유입되는 운반기체관의 가열에 의하여도 증착률 증가가 적은 범위에서 이루어지 고 있음이 관찰되었다. 이와함께 chamber내로 유입되는 운반관을 $90^{\circ}C$로부터 $120^{\circ}C$로 가열 한 실험에 의하면 운반관 가열이 TiN 성장 증가를 일으키고 있으며, 온도에 대한 TiN 성장 은 약0.2eV의 활성화에너지를 가진 Arrehenius형태로 증가되고 있었다.
