Fabrication and Characterization of High Temperature in-situ Ramp-edge Type Josephson Junction

고온초전도체 in-situ ramp-edge 형태의 조셉슨 접합 제작 및 특성

  • 허윤성 (한국표준과학연구원 초전도그룹) ;
  • 김진태 (한국표준과학연구원 초전도그룹) ;
  • 황윤석 (고려대학교 물리학과) ;
  • 이순걸 (고려대학교 물리학과) ;
  • 박광서 (서강대학교 물리학과) ;
  • 김인선 (한국표준과학연구원 초전도그룹) ;
  • 박용기 (한국표준과학연구원 초전도그룹) ;
  • 박종철 (한국표준과학연구원 초전도그룹)
  • Published : 1998.02.01

Abstract

In this study, we have fabricated in-situ multilayer $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$/$SrTiO_{3}$/$YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ ramp edge type junctions by using a metal mask and pulsed laser deposition method and studied the junction properties. The junctions showed RSJ-like I-V characteristics. The normal state junction resistance R, of $18 \omega$ was nearly constant with temperature. The dc-SQUID sensors fabricated with the junctions show a sensitivity that transfer function dV/$d\Phi$)~$22\mu$V/$\Phi_{0}$, indicating that the in-situ ramp edge type junction is potentially useful for sensor application.

본 연구에서는 금속 칼날 마스크와 펄스형 레이저 증착장치를 이용하여 $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$/$SrTiO_{3}$/$YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 다층박막 형태의 In-situ SIS ramp dege 형태의 접합을 제작하였으며, 이의 특성을 조사하였다. 접합은 RSJ 형태의 전류-전압 특성ㅇ르 나타내고 있으며, 온도 변화에 따른 접합의 normal resistance는 약 $18 \omega$으로 온도에 무관하게 일정한 값을 나타내었다. 접합형태를 이용하여 감도(transfer function, dV/$d\Phi$)가 약 $22\mu$V/$\Phi_{0}$인 dc-SQUID센서를 제작하였으며, in-situ SIS ramp edge 형태의 접합이 센서로의 응용가능성을 충분히 가지고 있음을 보여 주었다.

Keywords

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