Fabrication of New Ti-silicide Field Emitter Array with Long Term Durability

Ti-실리사이드를 이용한 새로운 고내구성 전계방출소자의 제작

  • Jang, Ji-Geun (Dept.of Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Baek, Dong-Gi (Dept.of Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Yun, Jin-Mo (Dept.of Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Yun, Jin-Mo (Dept.of Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Im, Seong-Gyu (Dept.of Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Jang, Ho-Jeong (Dept.of Computer Engineering, Dankook University)
  • Published : 1998.01.01

Abstract

Si FEA 로부터 tip의 표면을 Ti금속으로 silicidation한 새로운 2극형 Ti-실리사이드 FEA를 제작하고 이의 전계방출 특성을 Si FEA의 경우와 비교하였다. 양극과 음극간의 거리를 10$\mu\textrm{m}$로 유지하고 $10^{-8}$Torr의 고진공 상태에서 측정한 실리사이드 FEA의 turn-on전압은 약 40V로, 전계방출전류와 정상상태 전류 변동율은 150V의 바이어스 아래에서 약 3x$10^{-2}$ $\mu$A/tip와 0.1%min로 나타났다. Ti-실리사이드 FEA는 Si FEA에 비해 낮은 turn-on 전압, 높은 전계방출전류 및 고내구특성을 나타내었다.

Keywords

References

  1. 전자공학회지 v.22 no.3 FED(Field Emission Display)기술과 전망 이종덕;권상직
  2. IEEE Trans. Electron Devices v.38 no.10 B. C. Djubua;N. N. Chubun
  3. Digest of Technical Papers Chun Gyoo Lee
  4. Int. Electron Devices Meeting, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meeting A. I. Akinqqnade;P. E. Bauhahn;H. F. Gray;T. R. Ohnstein;J. O. Holmem
  5. SID'93 v.9 no.3 H. F. Gray
  6. J. Appl. Physics v.47 no.12 C. A. Spindt;I. Brodie;L. Humphrey;E. R. Westerberg
  7. Proc. IEEE v.82 no.7 I. Brodie(et al.)
  8. IEEE Trans. Electron Devices v.38 no.10 T. Utsumi
  9. IEEE Trans. Electron Devices v.40 no.5 E. G. Zaidman