The H₂ and H₂S sensing characteristics of Pd and Pd-Rh gate MOS sensor

Pd 및 Pd-Rh 게이트 MOS센서의 수소 및 황화수소가스에 대한 검지특성

The $H_2$ and $H_2S$ sensing characteristics of Pd and Pd-Rh gate MOS sensor and the effect of Pd deposition condition on the hydrogen sensing performance of Pd gate MOS sensor was investigated. The increase of rf power and deposition temperature led to the decrease in the sensitivity and the initial response rate. The deposition temperature gave more effects on the decrease of the sensitivity and the initial response rate than the rf power. The sensitivity of Pd-Rh sensor gave better performance than pure Pd sensor. As the concentration of Rh in the gate increased, the sensitivity decreased. For Pd-Rh sensor, the sensitivity to $H_2$ was higher than that to $H_2S$. It was demonstrated that rf power, deposition temperature had an important role in the sensor performance.

Pd, Pd-Rh 게이트 MOS센서의 $H_2$, $H_2S$ 검지특성과 Pd박막의 중착조건이 감지특성에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. rf power의 증가와 증착온도의 증가는 모두 센서의 감도와 초기반응속도를 감소시켰으며 rf power의 변화보다는 증착온도의 변화에 의한 효과가 현저하였다. Pd-Rh 센서의 경우 순수한 Pd 센서에 비해 감도가 낮았으며 Rh의 양이 증가할수록 감도는 감소하였다. Pd-Rh 센서에서 $H_2$가 $H_2S$보다 더 뛰어난 감도를 보여주었다. rf power, 증착온도, 기판의 변화가 MOS센서의 감도나 초기반응속도 등의 센서특성에 영향을 미친다는 사실을 확인할 수 있었다.