New Buffering Process in Preparation of High Quality GaN Films

References

1. Appl. Phys. Lett. v.69 Nakamura, S.;Senoh, M.;Nagahama, S.;Iwasa, N.;Yamada, T.;Matsushita, T.;Sugimoto, Y.;Kiyoku, H.
2. Appl. Phys. Lett. v.60 Kahn, M. A.;Kuznia, J. N.;Olson, D. T.;Van Hove, J. M.;Blasingame, M.;Reitz, L. F.
3. Ⅲ-Vs Review v.9 McDonald, J. A.
4. Appl. Phys. Lett. v.48 Amano, H.;Sawaki, N.;Akasaki, I.;Toyoda, Y.
5. Jpn. J. Appl. Phys. v.30 Nakamura, S.
6. J. Appl. Phys. v.64 Sasaki, T.;Matsuoka, T.
7. Appl. Phys. Lett. v.67 Ponce, F. A.;Krusor, B. S.;Major, Jr., J. S.;Plano, W. E.;Welch, D. F.
8. J. Crystal Growth v.98 Akasaki, I.;Amano, H.;Koide, Y.;Hiramatsu, K.;Sawaki, N.
9. J. Appl. Phys. v.73 Kuznia, J. N.;Kahn, M. A.;Olson, D. T.;Kaplan, R.;Freitas, J.
10. Modern Crystallography Ⅲ-Cryatal Growth Chernov, A. A.;Givargizov, E. I.(contribution);Bagdasaranov, K. S.(contribution);Kuznetsov, V. A.(contribution);Demianets, L. N.(contribution);Lovachev, A. N.(contribution)
11. J. Appl. Phys. v.45 Lager Stedt, O.;Monemar, B.
12. J. Appl. Phys. v.72 Chung, B. C.;Gershenzon, M.
13. Solid State Commun. v.57 Kahn, M. R. H.;Ohshita, Y.;Sawaki, N.;Akasaki, I.
14. Phys. Rev. v.B4 Dingle, R.;Sell, D. D.;Stokowski, S. E.;Ilegems, M.
15. Appl. Phys. Lett. v.67 Fisher, S.;Wetzel, C.;Haller, E. E.;Meyer, B. K.