한국결정성장학회지 (Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology)
- 제7권3호
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- Pages.393-399
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- 1997
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
6H-SiC wafer의 결정성 및 전기적 특성
Crystallinity and electrical properties of 6H-SiC wafers
초록
승화법에 의한 6H-SiC 단결정의 최적 성장조건을 설정하여 고품질의 6H-Sic 단결정을 성장하였다. 성장된 결정의 직경은 약 33 mm, 길이는 약 11 mm였다. 성장된 결정을 절단하여 연마한 후 광학현미경을 이용하여 연마된 SiC wafer의 micropipe density와 planar defect density를 측정한 결과, micropipe density는 400개/
H-SiC single crystals were successfully grown by the sublimation method and the optimum growth conditions were established. The grown SiC crystals were about 33 mm in diameter and 11 mm in length. The micropipe density of the polished SiC wafers was 400/
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