Abstract
By using aluminum iso - propoxide($Al(OC_3H_7)_3$, AIP), $Al_2O_3$thin films were deposited on (100) single crystal silicon wafer by MOCVD method. The compositions of deposited films were analysed by electron spectroscopy for chemical analyse(ESCA). The morphology and thickness of the deposited films were characterized by scanning electron microscopy. The refractive index and C-V propertied were studied by using ellipsometery and HP4192A, respectively. From the results of ESCA and SEM analysis at low pressure, more uniform and stable stoichiometric film can be obtained compared with that of atmospheric pressure. For optical film usage, required refractive index can be obtained by heat treatment of deposited film. To improve C -V characteristics in NMOS device, it is requred to control OH-which is mobile charge in oxide, to form $SiO_2$ layer between $Al_2O_3$ and Si by heat treatment.
출발물질로 aluminum iso-propoxide ($Al(OC_3H_7)_3$, AIP)를 사용하여 화학증착법으로 Si-wafer(100)위에 알루미나 박막을 증착하였다. 증착된 박막의 조성을 알아보기 위해 ESCA를 이용하였으며, SEM을 이용하여 박막의 형상 및 두께를 평가하였다. 그리고 굴절율 및 C-V 특성은 각각 ellipsometry와 HP4192A를 사용하였다. ESCA와 SEM의 분석결과에서 상압보다는 저압에서 막이 균일하고 조성이 잘 맞는 것을 알 수 있었으며 열처리를 통해 굴절율의 변화를 볼 수 있었다. 그리고 NMOS소자에서의 C-V특성을 개선하기 위해, $Al_2O_3$와 Si사이에 $SiO_2$층을 형성하는 것이 좋음을 알 수 있었다.
