Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology (한국결정성장학회지)
- Volume 7 Issue 1
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- Pages.76-80
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- 1997
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
Growth and defects of ZnSe crystal
ZnSe 단결정 성장과 결정결함
Abstract
ZnSe single crystals were grown by seeded chemical vapor transport in
직경 55 mm의 ZnSe 단결정을 수소분위기에서 seeded chemical vapor transport법에 의해 성장하였고, 성장 parameter들이 결정 결함에 미치는 영향을 조사하였다. Chemical etching에 의한 EPD 측정, X-ray rocking curve 측정, photolumlnescence 측정으로 성장된 단결정의 특성을 평가하였다.
Keywords