Abstract
Aluminum nitride(AIN) thin films were deposited by reactive single ion beam sputtering using N2 or NH3 as reactive gas. The structural, compositional and optical properties of AIN thin films were characterized by XRD, GAXRD, TEM, SEM, XPS UV/VIS spectrophotometer, and FT-IR. All the deposited AIN thin films were amorphous by the analysis fo XRD and GAXRD. However, TEM analysis showed that AIN nano-crystallites were uniformly distributed in the films. The presence of Al-N bonds were also confirmed by FT-IR and XPS analyses. The optical bandgap of AIN films increased up to 6.2 eV and the transmittance was a-bout 100% in visible range with approaching the stoichimetric composition. Irrespective of using N2 or NH3 as reactive gas, the deposited AIN thin films had very smooth surface morphologies. Their refractive index ranged from 1.6 to 1.7.
Reactive Single Ion Beam Sputtering 방법을 이용하여 AIN박막을 증착하고 물성을 분석하였다. 반응성 가스로 질소 가스 또는 암모니아 가스를 이용하였다. 증착된 AIN박막의 구조적, 화학적, 광학적 물성을 분석하기 위해 XRD, GAXRD, TEM, SEM, XPS, UV/VIS spectrophotometer, FT-IR등을 이용하였다. XRD, GAXRD분석결과에 의하면 증착된 모든 AIN박막은 비정질이었으나 TEM분석결과에서는 비정질 속에 육방정의 AIN미세결정들이 분포해 있었다. 그리고 FT-IR과 XPS분석을 통하여 Al-N결합을 확인하였으며, 화학양론적인 조성이 됨에 따라 UV-VIS spectrophotometery 분석에서 투광성이 증가하며 광학적 밴드갭은 6.2eV까지 증가함을 확인하였다. 또한 단면과 표면 형상관찰에서는, 반응성 가스로 질소 가스나 암모니아 가스에 관계없이, 결정입계가 전혀 관찰되지 않는 아주 평활한 현상이었으며 굴절율은 1.6~1.7의 값을 갖는다.