Interconnect Characterization for High Speed MCM Application

High Speed MCM 적용을 위한 Interconnect Characterization 에 대한 연구

대용량, 고속 정보처리가 요구되는 System의 모듈은 Data 처리의 고속성 및 회로의 고집적이 가능한 MCM의 형태로 구현되어 ATM, GPS 및 PCS 등의 분야에 광범위하게 응 용되고 있다. 위와 같은 High Speed 응용분야에서의 System 성능은 Interconnect Line의 전달지연, 임피던스 부정합에 의한 신호 반사 손실. 신호선 간의 Crosstalk, Ground Bounce 등의 현상에 대한 최적화 여부에 결정적인 영향을 받는다. 그러나 Interconnect의 특성상 정 형이 존재하지 않으므로 추상적인 Library를 구축하는 형식으로 접근할 수밖에 없으며 이를 위하여 여러기본 구조를 정의한후 각 Dimension을 변수로 두고 해석 결과를 합성하여 Database화하는 접근방식이다. 본 논문에서는 MCM-D 공정을 이용하여 Interconnect Line 특성을 분석하고 Database화 하기 위한 Test Pattern을 구현하고 Time Domain reflectometry(TDR)을 이용하여 그특성들을 측정 분석하였다. Test pattern 제작은 MCM-D 공정으로 최소선폭 27$\mu$m, Via Hole 75$\mu$m으로 형성하였고 2 Layer Signal과 GND로 총 3Layer를 구현하였다. 특성분석을 위해 TDR장비와 모데링 및 Simulation S/W인 IPA 510 을 사용하였다. 이를 통해 MCM-D를 이용한 공정에서 Interconcet Line의 고주파 특성을 측정하고 정량화하여 LIbrary를 제작할수 있었다.