Abstract
The influences of laser-induced damage threshold by the after-processing of $Al_2O_3$ thin films was investigated. The samples were fabricated at the substrate temperature of $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$ and $350^{\circ}C$ respectively, and the LIDT were measured by using Nd:YAG laser. After the processing with baking and laser conditioning of the samples, the variation of LIDT was measured. It was found that LIDT was enhanced twice by laser-conditioning process and 1.5 times by baking process. In addition, we measured the chemical properties of the thin film structure before and after the processing by using XPS.
$AL_2O_3$ 박막의 후처리 효과가 laser induced damage threshold에 미치는 영향을 연구하였다. 시료의 증착 온도는 각각 $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$ 및 $350^{\circ}C$로 하여 제작하였고, Nd:YAG 레이저를 이용하여 LIDT를 측정하였다. 제작한 시료는 열처리와 레이저 conditioning으로 후처리한 후 LIDT의 변화를 측정하였는데, 일반적으로 증착 온도를 높게 하여 제작한 시료들에서 LIDT가 높게 측정되었다. 또한 열처리한 경우보다 레이저 conditioning으로 후처리한 경우에서 LIDT는 더 높게 측정되었다. XPS를 사용하여 후처리 전후 박막의 화학 구조적 특성을 측정하였다.