센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)

  • 제6권1호
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  • Pages.24-34
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  • 1997
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  • 1225-5475(pISSN)
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  • 2093-7563(eISSN)
한국센서학회 (The Korean Sensors Society)
권호 표지

상보형 일렉트로크로믹 소자의 제조 및 특성 ( I )

Characteristics and Fabrication of Complementary Electrochromic Device ( I )

  • 이석윤 (울산대학교 재료공학과) ;
  • 서동규 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 김영호 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 조동율 (울산대학교 재료공학과) ;
  • 천희곤 (울산대학교 재료공학과)
  • Lee, S.Y. (University of Ulsan, Department of Materials Science and Engineering) ;
  • Seo, D.K. (University of Suwon, Department of Electronic Materials Science and Engineering) ;
  • Kim, Y.H. (University of Suwon, Department of Electronic Materials Science and Engineering) ;
  • Cho, T.Y. (University of Ulsan, Department of Materials Science and Engineering) ;
  • Chun, H.G. (University of Ulsan, Department of Materials Science and Engineering)
  • 발행 : 1997.01.31
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초록

본 연구에서는 비정질 $WO_{3}$ 박막을 작용전극으로 $V_{2}O_{5}$ 박막과 NiO 박막을 각각의 대향전극으로 사용한 두 종류의 상보형 일렉트로크로믹 소자를 제작하고 그 특성을 조사 연구하였다. 그 결과 $100{\sim}150nm$ 두께로 진공증착된 $V_{2}O_{5}$ 박막을 대향전극으로 이용하여 제작된 $ITO/WO_{3}/LiClO_{4}-PC/V_{2}O_{5}/ITO$ 구조의 상보형 소자에서는 $1{\sim}2V$ 정도의 낮은 인가전압에서 광변조량이 $50{\sim}60%$를 나타내는 우수한 특성을 나타냈다. 그리고, RF 반응성 스퍼터링 방법으로 제작된 NiO 박막을 대향전극으로 이용한 $ITO/WO_{3}/LiClO_{4}-PC/NiO/ITO$ 구조의 경우 1.5V의 인가전압에 가시광선 영역(${\lambda}=550nm$)에서 약 25% 정도, 근적외선 영역(${\lambda}=850nm$)에서 약 30% 정도의 태양광을 변조할 수 있는 특성을 보였다.

In this study, two different types of complementary electrochromic devices using amorphous $WO_{3}$ films as a working electrode, $V_{2}O_{5}$ film and NiO film as counter electrodes respectively were investigated. For the devices using amorphous and crystalline $V_{2}O_{5}$ films of $100{\sim}150nm$ thickness with $ITO/WO_{3}/LiClO_{4}-PC/V_{2}O_{5}/ITO$ structure, an optical modulation of $50{\sim}60%$ were obtained at a potential range of $1{\sim}2V$. It has been shown that transmittance and reflectance of light could be electrically controlled by low applied voltage. For the devices with $ITO/WO_{3}/LiClO_{4}-PC/NiO/ITO$ structure in which NiO film was deposited by a RF reactive sputtering, the optical modulation in visible light region (${\lambda}=550nm$) and in near infrared light region (${\lambda}=850nm$) were 25% and 30%, respectively.

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