Abstract
We found that SOG which had been used in plarnarization of VLSI circuit fabrication at present could be used as a resist material for AFM lithography. In this experiment on the basis of previous studies, we improved the process flexibility by controlling the coating film thickness, etching time, etching selectively and proper applied voltage on the pattern size to apply for practical VLSI lithography process. We obtained pattern with the current of 5 nA at 60 V. The line width was 800 $\AA$. With the developed flexibility of SOG as a resist material, AFM lithography will be a expedient technique in the next generation DRAM fabrication.
VLSI 공정에 평탄화를 위하여 사용되는 SOG과 AFM lithography에 resist 재료로서 이용되는 것이 확인되었다. 이에 기초하여, 본 연구는, SOG가 VLSI lithography 공정에 이용되기 위한 coating막 두께의 가변, 현상을 위한 etching time 및 etching selectivity의 가변, 패턴의 크기에 따르는 적정 공급전압을 선택 등으로 공정의 여유도를 크게 개선하였다. 공급전압 60V, FE 전류량 5nA로서 800$\AA$의 fine 패턴을 얻었다. 차세대 DRAM 제작공정 기술을 위한 AFM lithography에 있어서, SOG의 사용은 공정 여유도가 양호함에 의하여 크게 전망되는 기술이 될 것이다.