한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

  • 제6권5호
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  • Pages.489-493
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  • 1996
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  • 1225-0562(pISSN)
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  • 2287-7258(eISSN)
한국재료학회 (Materials Research Society of Korea)
권호 표지

다공질 실리콘을 이용한 저온 산화막의제조

Relization of Low Temperature Oxide Using Porous Silicon

  • 류창우 (경북대학교 전자.전기공학부) ;
  • 심준환 (경북대학교 전자.전기공학부) ;
  • 이정희 (경북대학교 전자.전기공학부) ;
  • 이종현 (경북대학교 전자.전기공학부) ;
  • 배영호 (산업과학기술연구소) ;
  • 허증수 (경북대학교 금속공학과)
  • Ryu, Chang-U ( Dept.of Electronics Electrical Engineering, Kyungpook National University) ;
  • Sim, Jun-Hwan ( Dept.of Electronics Electrical Engineering, Kyungpook National University) ;
  • Lee, Jeong-Hui ( Dept.of Electronics Electrical Engineering, Kyungpook National University) ;
  • Lee, Jong-Hyeon ( Dept.of Electronics Electrical Engineering, Kyungpook National University) ;
  • Bae, Yeong-Ho (Research Institute of Industrial Science and Technology) ;
  • Heo, Jeung-Su (Departments of Metallurgical Engineering, Kyungpook National University)
  • 발행 : 1996.05.01
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초록

다공질 실리콘층(Porous Silicon LayerLPSL)을 사용하여 저온 열산화 (50$0^{\circ}C$, 1시간)와 급속 열산화공정(rapid thermal oxidationLRTO)(115$0^{\circ}C$, 1분)을 통하여 저온 산화막을 제조하였다. 제조된 산화막의 특성을 IR흡수 스펙트럼, C-V 곡선, 절연파괴전압, 누설전류, 그리고 굴절률을 조사함으로써 알아보았다. 절연파괴전압은 2.7MV/cm, 누설전류는 0-50V 범위에서 100-500pA의 값을 보였다. 산화막의 굴절률은 1.49의 값으로서 열산화막의 굴절률에 근접한 값을 나타냈다. 이 결과로부터 다공질 실리콘층을 저온산화막으로 제조할 때, RTO공정이 산화막의 치밀화(densification)에 크게 기여함을 알 수 있었다.

키워드

참고문헌

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