Properties of Aluminum Films Deposited by CVD using DMEAA

DMEAA 소스로 기상화학 증착된 알루미늄 박막의 증착특성

  • Jang, T.W. (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) ;
  • Moon, W. (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) ;
  • Baek, J.T. (ETRI, Precess and Equipment Laboratory) ;
  • Ahn, B.T. (Department of Materials Science and Engineering, KAIST)
  • 장태웅 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 문원 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 백종태 (한국전자통신연구소 공정장비연구실) ;
  • 안병태 (한국과학기술원 재료공학과)
  • Published : 1996.03.01

Abstract

p-type(100) 실리콘 기판과 TiN(50nm)/Si 기판에 dimethylethylamine alane(DMEAA)을 반응소스로 하여 알루미늄을 증착시켜 증착온도와 유량, 반송가스 종류에 따른 방향성, 증착속도, 미세구조 변화에 대해 연구하였다. 알루미늄의 증착속도는 기판온도, 반송가스 종류 및 유량에 따라 100-650mn/min으로 다양하게 조절되었다. DMEAA의 증착 활성화에너지는 TiN 기판에서는 약 0.leV이었고 Si와 SiO2 기판에서는 각각 약 0.23eV, 0.24eV이었다. 알루미늄 박막의 방향성은 증착속도의 감소에 따라 (200)에서 (111)방향으로 변하였다. 증착된 알루미늄 박막의 불순물 함량은 산소의 경우 0.2at%, 탄소의 경우 1.8at.%이었다. DMEAA 소스에 의한 알루미늄의 증착속도는 반송가스가 Ar 일 때 보다 H2 가스를 사용하면 증착속도가 크게 증가하였으며 이는 반송가스에 의해 SiO2표면의 흡착 H 농도가 증가하고 흡착 H가 소스 가스와 반응하여 핵생성 site 로 작용하는 것으로 생각된다. 알루미늄 박막의 비저항은 표면 미세조직에 크게 영향을 받으며 그 값은 약 3-7$\mu$$\Omega$cm이었다.

Keywords

References

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