Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Thermal Stability of Au/Nb/WNx(Si)/GaAs Schottky Contacts

Au/Nb/WNx(Si)/GaAs Schottky 접합의 열안정성

  • Jeong, Jin-Yeong (Dept. of Materials Science and Eng. Ajou University) ;
  • Go, Gyeong-Hyeon (Dept. of Materials Science and Eng. Ajou University) ;
  • An, Jae-Hwan (Dept. of Materials Science and Eng. Ajou University) ;
  • Kim, Hyeong-Jun (Dept. of Matallurgical Engineering & Materials Science, Hong-Ik University)
  • 정진영 (아주대학교 재료공학과) ;
  • 고경현 (아주대학교 재료공학과) ;
  • 안재환 (아주대학교 재료공학과) ;
  • 김형준 (홍익대학교 금속.재료공학과)
  • Published : 1996.01.01
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Abstract

Microwave용 GaAs MESFET 소자에 적용가능한 Schottky 접합구조로서 Au/Nb/WNx(Si) 다층박막의 특성을 평가하였다. WNx 증착시 co-sputtering에 의하여 첨가된 실리콘은 열처리 과정 동안 GaAs/Schottky 계면으로 확산되며 이 과정은 sputtering damage의 회복이 활성화되는 $700^{\circ}C$이상에서 활발해진다. 계면으로 축적된 실리콘은 Ga와 As의 유효한 확산 경로를 차단함으로서 Ga의 확산으로 인한 GsAs 내의 carrier 농도 증가를 최소화 할 수 있어서 WNx와 같은 Schottky 접합재료의 열적 안정특성의 향상을 기대할 수 있다. Au/Nb의 층을 적층시 Nb는 탈탈륨 등의 고융점 금속과 같이 sacrificial 형태의 확산방지막으로 작용하여 열적으로 안정하며 microwave용 소자에서 요구되는 낮은 비저항치(-10-5$\Omega$-cm)를 유지할 수 있다.

Keywords

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