Abstract
We have studied the magnetoresistance and the magnetic anisotropy of Cu/(NiFe/Ni/NiFe) metallic multi layers grown on Si(100), Si(111), $4^{\circ}\;tilt-cut\;Si(111)$ or glass substrate. When the multilayer was grown on $4^{\circ}\;tilt-cut\;Si(111)$ with $50\;{\AA}$ of Cu underlayer, an in-plane uniaxial anisotropy was observed. On the other substrates such as Si(100), Si(111) or glass with Cu underlayer, however, no appreciable anisotropy was shown. The multilayer grown with NiFe or Ni underlayer or without underlayer did not show any arnsotropy even on $4^{\circ}\;tilt-cut\;Si(111)$. When $10\;{\AA}$ of NiFe was deposited prior to the Cu underlayer, the anisotropy in Cu/(NiFe/Ni/NiFe) multilayer disappeared.
Cu/(NiFe/Ni/NiFe) 금속다층막을 Si(100), Si(111), $4^{\circ}\;tilt-cut\;Si(111)$, slide glass등의 기판 위에 형성하여 자기저항 특성 및 자기이방성을 고찰하였다. $50\;{\AA}$의 Cu를 바닥층으로 사용한 경우 $4^{\circ}\;tilt-cut\;Si(111)$ 기판 위에서 면내 일축 자기이방성을 보였으며 다른 기판 위에서는 자기이방성을 보이지 않았다. 바닥층이 없는 경우나 NiFe, Ni등을 바닥층으로 사용한 경우 $4^{\circ}\;tilt-cut\;Si(111)$ 기판 위에서 자기이방성은 나타나지 않았으며, Cu 바닥층을 증착하기 전 NiFe를 $10\;{\AA}$ 증착하고 형성한 금속다층막의 경우도 면내 자기이방성이 나타나지 않았다.