Background impurity incorporation in the growth of InP by hydride vapor phase epitaxy technique

Hydride 기상증착법을 이용한 InP 성장에서의 배경 불순물 도입에 관한 연구

Intrinsic layers of homoepitaxial InP grown by the hydride vapor phase epitaxy (VPE) technique were investigated by Fourier-transform photoluminescence(FTPL) and variable temperature Hall measurements. The effect of process variables (i.e., source zone temperature and inlet mole fractions of HCl and $PH_{3}$) on the backgroudn impurity levels was investigated. The background carrier concentration was found to decrease with decreasing source zone temperature and increasing HCl, but was relatively independent of $PH_{3}$ for the range of mole fraction studied. The presence of background donors and acceptors was clearly verified in the FTPL spectra, and the major impurities were tentatively identified as Si donors and Zn acceptors as well as some unidentified acceptors.

Hydride 기상증착법으로 성장시킨 InP 에피충들을 FTPL 분광법과 변온 Hall 측정법으로 조사하였다. 원료 공급 지역의 온도, 주입되는 HCI과 $PH_{3}$의 몰분율 등 공정변수가 배경 불순물의 주입에 미치는 영향을 조사한 결과, 배경 전하 농도는 원료 공급지역의 온도가 감소 할수록 감소하고 HCl의 주입량이 증가할수록 감소하나 $PH_{3}$의 주입량에는 연구된 몰분율 범위 내에서 상대적으로 무관함을 알 수 있었다. 또한 FTPL spectrum 분석 결과 에피충 내부에 배 경 donor들과 acceptor들이 존재함을 얄 수 있었고 특히, Si donor들, Zn acceptor들, 확인되지 않은 acceptor들이 주된 불순물로 존재함을 알 수 있었다.