Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Diffusion barrier properties of MOCVD TiN thin film for AI planarization technology

AI planarization 기술에서 MOCVD TiN 박막의 barrier 특성

  • 홍정의 (금성일렉트론(주) 반도체 연구소 선행공정실) ;
  • 김창렬 (금성일렉트론(주) 반도체 연구소 선행공정실) ;
  • 김준기 (금성일렉트론(주) 반도체 연구소 선행공정실) ;
  • 변정수 (금성일렉트론(주) 반도체 연구소 선행공정실) ;
  • 나관구 (금성일렉트론(주) 반도체 연구소 선행공정실) ;
  • 김우식 (금성일렉트론(주) 반도체 연구소 선행공정실)
  • Published : 1995.02.01
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Abstract

AI planarization 공정을 위한 barrier로서 CVD 및 PVD 방법에 의해 증착된 TiN 박막의 특성에 대하여 연구하였다. CVD TiN은 TDMAT source를 사용한 MOCVD방법으로 증착하였으며, PVD TiN은 1:1 aspect ratio(A/R)를 갖는 collimator를 사용한 reactive wputtering법으로 증착하였다. AES, SEM을 이용하여 CVD TiN과 PVD TiN의 조성을 분석하고 barrier 특성을 평가하였다. CVD TiN, PVD TiN 모두 400$\AA$의 두께와 RTA 처리에 의해서 AI planarization에 대한 양호한 barrier 특성을 확보할 수 있었다.

Keywords