Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 4 Issue 4
- /
- Pages.402-406
- /
- 1995
- /
- 1225-8822(pISSN)
Electrical Properties of MOS Capacitors Irradiated with $CO^{60}-\gamma$ Ray
$CO^{60}-\gamma$ 선이 조사된 MOS Capacitors에서의 전기적 특성
Abstract
MOS(금속 산화막 반도체 접합) 소자가 방사선에 노출되면, 산화막재에 양의 공간전하가 생성되고 Si-SiO2 계면에 계면준위가 생성된다. MOS 커패시터의 방사선 조사효과를 방사선 피폭량과 산화막의 두께를 달리하는 시편에서 정전용량과 전류변화를 측정하여 고찰하였다. 정전용량-바이어스 전압 특성 실험결과로부터 플렛밴드 전압 및 계면상태밀도를 계산하였다. 또한 전압-전류 특성은 방사선 조사로 산화막내에 생성된 양의 공간전하와 Si-SiO2 계면에 포획된 전하에 의해서 설명이 가능하였다.
Keywords