Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 4 Issue 2
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- Pages.177-182
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- 1995
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- 1225-8822(pISSN)
A Study on the Growth of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$ As/InP Epitaxial Layers for HEMT by MBE
MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$ As/InP 에피택셜층 성장 연구
Abstract
저잡음 HEMT소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE방법을 이용하여
Keywords