A study on the formation of epitaxial $CoSi_{2}$thin film using Co/Refractory metal bilayer

코발트/내열금속 이중박막을 이용한 $CoSi_{2}$ 에피박막형성에 관한 연구

  • 김종렬 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 조윤성 (현대전자(주) 반도체사업부) ;
  • 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
  • Published : 1995.05.01

Abstract

전자빔 증착법을 사용하여 Ti과 Co를 Si(100) 단결정, 다결정 Si 및 Si$O_{2}$기판에 증착한 후 90$0^{\circ}C$에서 20초 급속 열처리하여, Co/Ti 이중박막으로부터의 실리사이드화 반응을 조사하였다. 단결정 시편의 경우 Ti의 두께를 5~6mm로 최소화함으로서 두께가 균일하고 기판과의 계면이 평탄하며 비저항이 낮고 열적 안정성이 높은 Co$Si_{2}$ 에피박막을 형성할 수 있었다. 그러나 다결정 시편에는 두께와 계면이 불균일하고 열적으로도 불안정한 다결정의 Co$Si_{2}$와 그 위에 두개의 Co-Ti-Si혼합층이 형성되었다. 한편 Si$O_{2}$ 우에 증착된 Co/Ti은 열처리를 하여도 확산하지 않고 그대로 남아 있어서, Co/Ti 이중박막의 Si$O_{2}$와의 반응성이 미약함을 보여 주었다.

Keywords

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