E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제8권3호
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- Pages.306-315
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- 1995
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
GAIVBE기법에 의한 저온 $Al_ 2O_3$ on Si 박막의 형성과 전기적 특성에 관한 연구
A study on the electrical characteristics and the growth of $Al_ 2O_3$ film on Si with low temperatures by GAIVBE technique
초록
본 논문에서는
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