센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)
- 제4권4호
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- Pages.70-74
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- 1995
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
(100) 실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal Direction of (100) Silicon Substrates
- 류인식 (경동전문대학 전자계산과) ;
- 박기열 (경북대학교 전자공학과) ;
- 심준환 (경북대학교 전자공학과) ;
- 신장규 (경북대학교 전자공학과) ;
- 이정희 (경북대학교 전자공학과) ;
- 이종현 (경북대학교 전자공학과)
- Yu, In-Sik (Kyungdong Junior College, Dept. of Computer Science) ;
- Park, Ki-Yeul (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Sim, Jun-Hwan (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Shin, Jang-Kyoo (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Lee, Jung-Hee (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Lee, Jong-Hyun (Kyungpook National University, Dept. of Electronics)
- 발행 : 1995.11.30
초록
다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다. 실험재료는 n형 기판 위에
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation. The starting material was (100) silicon
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