Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)
- Volume 4 Issue 4
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- Pages.70-74
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- 1995
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
Anisotropic Property of Porous Silicon Formation Dependent on Crystal Direction of (100) Silicon Substrates
(100) 실리콘 기판의 결정방향에 따른 다공질 실리콘 형성의 이방성에 관한 연구
- Yu, In-Sik (Kyungdong Junior College, Dept. of Computer Science) ;
- Park, Ki-Yeul (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Sim, Jun-Hwan (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Shin, Jang-Kyoo (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Lee, Jung-Hee (Kyungpook National University, Dept. of Electronics) ;
- Lee, Jong-Hyun (Kyungpook National University, Dept. of Electronics)
- 류인식 (경동전문대학 전자계산과) ;
- 박기열 (경북대학교 전자공학과) ;
- 심준환 (경북대학교 전자공학과) ;
- 신장규 (경북대학교 전자공학과) ;
- 이정희 (경북대학교 전자공학과) ;
- 이종현 (경북대학교 전자공학과)
- Published : 1995.11.30
Abstract
We have observed anisotropic anodisation process for porous silicon formation. The starting material was (100) silicon
다공질 실리콘을 형성하는데 있어서 이방성 양극 반응 과정을 관찰하였다. 실험재료는 n형 기판 위에
Keywords