한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
- 제4권5호
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- Pages.600-607
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- 1994
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장
Liquid Phase Epitaxial Growth of GaAs on InP Substrates
- 김동근 (전남대학교 금속공학과) ;
- 이형종 (전남대학교 물리학과) ;
- 임기영 (전북대학교 물리학과) ;
- 장성주 (전북대학교 물리학과) ;
- 장성주 (동신대학교 물리학과) ;
- 김종빈 (조선대학교 전자공학과) ;
- 이병택 (전남대학교 금속공학과)
- Kim, Dong-Geun (Dept. of Metallurgical engineering, Chonnam national University) ;
- Lee, Hyeong-Jong (Dept.of Physics, Chonnam National Universityisy) ;
- Im, Gi-Yeong (Dept.of Physics, Chonbuk National University) ;
- Jang, Seong-Ju (Dept.of Physics, Chonbuk National University) ;
- Jang, Seong-Ju (Dept.of Physics, Dongshin University) ;
- Kim, Jong-Bin (Dept.of Electronics Engineering, Chosun University) ;
- Lee, Byeong-Taek (Dept. of Metallurgical engineering, Chonnam national University)
- 발행 : 1994.08.01
초록
LPE방법을 이용하여 InP기판 상에 GaAs이종접합 박막을 최초로 성장하였으며 제반 성장조건들이 박막특성에 미치는 영향을 NDIC광학현미경, SEM, TEM 및 DCXRD 등을 이용하여 조사하였다. 적정 LPE성장온도는
Optimum exper~mental conditions were established for the growth of heteroepitaxial GaAs layers on InP using liquid phase epitaxy (LPE) technique. Results showed that the optimum growth temperature was
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