Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)
- Volume 4 Issue 5
- /
- Pages.600-607
- /
- 1994
- /
- 1225-0562(pISSN)
- /
- 2287-7258(eISSN)
Liquid Phase Epitaxial Growth of GaAs on InP Substrates
액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장
- Kim, Dong-Geun (Dept. of Metallurgical engineering, Chonnam national University) ;
- Lee, Hyeong-Jong (Dept.of Physics, Chonnam National Universityisy) ;
- Im, Gi-Yeong (Dept.of Physics, Chonbuk National University) ;
- Jang, Seong-Ju (Dept.of Physics, Chonbuk National University) ;
- Jang, Seong-Ju (Dept.of Physics, Dongshin University) ;
- Kim, Jong-Bin (Dept.of Electronics Engineering, Chosun University) ;
- Lee, Byeong-Taek (Dept. of Metallurgical engineering, Chonnam national University)
- 김동근 (전남대학교 금속공학과) ;
- 이형종 (전남대학교 물리학과) ;
- 임기영 (전북대학교 물리학과) ;
- 장성주 (전북대학교 물리학과) ;
- 장성주 (동신대학교 물리학과) ;
- 김종빈 (조선대학교 전자공학과) ;
- 이병택 (전남대학교 금속공학과)
- Published : 1994.08.01
Abstract
Optimum exper~mental conditions were established for the growth of heteroepitaxial GaAs layers on InP using liquid phase epitaxy (LPE) technique. Results showed that the optimum growth temperature was
LPE방법을 이용하여 InP기판 상에 GaAs이종접합 박막을 최초로 성장하였으며 제반 성장조건들이 박막특성에 미치는 영향을 NDIC광학현미경, SEM, TEM 및 DCXRD 등을 이용하여 조사하였다. 적정 LPE성장온도는
Keywords