Abstract
Epitaxial TiSiz films have been grown by UHV deposition of Ti on atomically clean Si(ll1)- orientated substrates. The Ti film of 50$\AA$ was deposited on the reconstructed Si(ll1) surface at room temperature. The sample was annealed up to $800^{\circ}C$ in $100^{\circ}C$ increments. The structure of the TiSiL films have been identified as the C49 metastable phase by electron diffraction patterns. Scanning electron microscopy( SEM) shows three different types of Tiksilicide island morphologies. The individual island structures are single crystal and are considered to be epitaxy with different crystallographic orientations. The orientational relationships of the $TiSi_{2}$ islands is given by [ 172 1 C49 $TiSi_{2}$//[110] Si and (021) C49 $TiSi_{2}$// (111)Si.
초청장 Si(111)기탄상에 초고진공 챔버에서 Ti을 증착하여 $TiSi_{2}$를 에피층으로 성장시켰다. 재구성된 (reconstructed) Di(111)표면에 상온에서 50$\AA$ 두께의 Ti을 증착한 후 $100^{\circ}C$간격으로 $800^{\circ}C$까지 열처리 하였다. $TiSi_{2}$박막의 구조는 전자회절 패턴 분석을 통하여 준안정상인 C49상임을 확인하였다. SEM 사진은 세가지 형태의 island를 보이고 있다. 각 island 는 단결정이며 그 구조는 서로 다른 결정학적 방향을 갖는 에피구조이다. 이러한 TiSi$_{2}$ island[112]C49 TiSi$_{2}$/[110]Si, (021) C49 $TiSi_{2}$/(111)Si의 방향관계를 가지고 있다.
