한국결정성장학회지 (Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology)
- 제4권1호
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- Pages.83-91
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- 1994
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
수직온도구배냉각법으로 크롬과 인듐이 함께 도핑된 반절연 갈륨비소 단결정의 성장 및 특성평가
Growth and characterization of semi-insulating GaAs co-doped with Cr and In by vertical gradient freeze technique
- Young Ju Park (Semiconductor Materials Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea) ;
- Suk-Ki Min (Semiconductor Materials Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea) ;
- Kee Dae Shim (Semiconductor Materials Laboratory, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 136-791, Korea) ;
- Mann J. Park (Department of Physics, Korea University, Seoul 136-701, Korea)
- 발행 : 1994.03.01
초록
직경 2인치 갈륨비소 단결정을 위한 수직온도구배냉각 결정성장치를 제작하여 크롬과 인듐이 함께 도핑된 반절연 갈륨비소 단결정을 성장하였다. 함께 도핑된 결정에 대해서,불순물의 편석계수는 크롬 또는 인듐만을 도핑한 결정에서 편석계수와 비교할 때 변하지 않고 같은 값을 갖는다. 크롬과 인듐의 농도는 결정의 종자부분 부터 꼬리부분까지 각각
We have constructed a vertical gradient freeze (VGF) grower for GaAs single crystals 2 inch in diameter and have grown semi-insulating GaAs co-doped with Cr and In. For the co-doped crystal, the segregation coefficients of the dopants remain unchanged when compared to those doped with only Cr or In. The concentration of Cr and in atoms range from about
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