한국광학회지 (Korean Journal of Optics and Photonics)
- 제5권2호
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- Pages.340-346
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- 1994
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- 1225-6285(pISSN)
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- 2287-321X(eISSN)
2.5Gbps 광통신용 InGaAs separate absorption grading multiplication (SAGM) advanche photodiode의 제작 및 특성분석
Fabrication and characterization of InGaAs Separate Absorption Grading Multiplication Avalache Photodiodes for 2.5 Gbps Optical Fiber Communication System
초록
2.5Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과 Br:Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 ADP는 10nA 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39 V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 ADP를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5Gbps 속도에서
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