2.5Gbps 광통신용 InGaAs separate absorption grading multiplication (SAGM) advanche photodiode의 제작 및 특성분석

Fabrication and characterization of InGaAs Separate Absorption Grading Multiplication Avalache Photodiodes for 2.5 Gbps Optical Fiber Communication System

  • 유지범 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 박찬용 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실) ;
  • 박경현 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실) ;
  • 강승구 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실) ;
  • 송민규 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실) ;
  • 오대곤 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실) ;
  • 박종대 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실) ;
  • 김흥만 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실) ;
  • 황인덕 (한국전자통신연구소 화합물반도체연구실)
  • 발행 : 1994.06.01

초록

2.5Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과 Br:Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 ADP는 10nA 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39 V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 ADP를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5Gbps 속도에서 $2^{23}-1$의 길이를 갖는 입력 광신호에 대해 $ 10^{-10}$ Bit Error Rate에서 -31.0dBm의 수신감도를 얻었다.

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