Fabrication and Temperature Characteristics of a SIMOX SOI Hall Sensor

SIMOX SOI 홀 센서의 제조 및 온도특성

  • Published : 1994.02.28

Abstract

A SIMOX SOI Hall sensor has been fabricated and its characteristics were measured at temperatures between $20^{\circ}C$ and $260^{\circ}C$. Output Hall voltage varied linearly with supplied current, showing good linearity. The Hall voltage and the offset voltage initially increased slightly and then decreased with temperature due possibly to the electron mobility variation with temperature. Nearly constant product sensitivity throughout the temperature range indicates that this Hall sensor could be used for high temperature applications.

SIMOX SOI 홀 센서를 제조하여 $20^{\circ}C{\sim}260^{\circ}C$ 사이의 온도에서 그 특성을 측정하였다. 출력 홀 전압은 인가 전류의 변화에 따라 선형적으로 변하였으며 좋은 선형성을 나타내었다. 홀 전압과 오프셋 전압은 온도변화에 따라 처음에는 약간 증가하다가 그 다음 감소하는 경향을 보이고 있는데 이는 온도에 따른 전자의 이동도의 변화 때문이라 생각된다. 측정온도 범위내에서 소자의 적감도는 거의 일정하게 유지되었으며 이를 이용하여 고온에서의 응용이 기대된다.

Keywords