CdS 박막의 광전도 특성에 미치는 활성제의 영향

The Effect of Activator on the Photoconductive Characteristics of CdS Thin Film

본 논문은 순수한 CdS 박막시편에 미소량의 불순물(활성제)을 첨가하고 각 시편에 대한 파장(380-760nm) 및 온도변화($120-360^{\circ}K$)에 따른 전기적 특성을 비교, 조사 하였다. 그 결과는 다음과 같다. 1) 순수한 CdS 박막의 경우 열처리함에 따라 저항이 증가 하였으며 분광응답의 최대치는 더욱더 장파장쪽으로 이동하였다. 2) 여러가지 일정한 온도에서 여러가지 파장의 광을 조사하였을때 실온도에서 보다는 저온도($160^{\circ}K$)에서 민감한 광응답특성을 나타냈다. 3) 불순물의 첨가량이 0.5wt%일 때 비교적 양호한 광응답특성을 나타내고 있다.

In this paper, the electrical characteristics of CdS thin films doped with a little of impurities(activators) are studied on wavelength(380-760nm), and temperature($120-360^{\circ}K$). These results are as follows. 1) The resistance of pure CdS thin film increases by annealing, and maximum response value of wavelength is shifted to the long wavelength. 2) The spectral responses of light are more sensitive in low temperature(160K) than in room temperature. 3) Characteristics of the spectral response of light are improved by doping with 0.5wt% impurity.