전자공학회논문지A (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A)
- 제30A권1호
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- Pages.31-43
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- 1993
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- 1016-135X(pISSN)
$CHF_3$ /$C_2$ $F_6$ 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 오염 및 제거에 관한 연구
A Study on the Silicon surface and near-surface contamination by $CHF_3$ /$C_2$ $F_6$ RIE and its removal with thermal treatment and $O_2$ plasma exposure
초록
Thermal behavior and
키워드