Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Oxidation and Interface Reaction for the Ti Film on $SiO_2$ Substrate

$SiO_2$기판에 증착된 Ti박막의 산화 및 계면반응

  • 김영남 (삼성전자(주) 반도체 부문 분석기술팀) ;
  • 강성철 (삼성전자(주) 반도체 부분 분석기술팀) ;
  • 박진성 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타) ;
  • 이내인 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타) ;
  • 김일권 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타) ;
  • 김영욱 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타)
  • Published : 1993.03.01
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Abstract

산화분위기에서의 Ti/SiO2 박막의 산화거동 및 계면반응을 조사했다. SiO2막위에 100nm의 티타니움을 스퍼터법으로 형성하여 급속가열로(Rapid Thermal Processor)에서 온도를 달리하여 산화시켰다. 산화거동은 박막의 면저항의 측정, 산화막 두께측정, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)에 의한 조성분석으로 평가했다. 산화시 티타니움 면저항은 표면에서 산화로 인해 약 $500^{\circ}C$ 이상에서 증가하기 시작해서 $800^{\circ}C$에서 포화되었다. 이 때 막두께는 약 $700^{\circ}C$ 이상에서 약 2배로 증가한 후 일정한 두께를 나타내었다. 이 결과로부터 산화부산물에 도전성물질이 존재하는 것을 알 수 있었다. TEM과 XPS분석결과 40$0^{\circ}C$ 이상에서 산화시 Ti 표면에서부터 TiO2가 형성되고 $600^{\circ}C$ 이상에서는 TiO2의 형성과 Si의 석출이 확인되었다. 석출되는 Si의 양은 온도에 따라 증가했다.

Keywords