Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Fabrication and electrical properties of InGaAs/InP reaonant tunneling diode

InGaAs/InP 송명 터널다이오드의 제작과 전기적 특성

  • 유병수 (조선대학교 전기공학과) ;
  • 이우선 (조선대학교 전기공학과)
  • Published : 1993.07.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 논문에서는 전자파 디바이스의 고속화를 위해서 OMVPE를 이용하여 InGaAs/InP공명 터널 다이오드를 제작하고 전기적특성을 연구하였다. 공명 터널 다이오드의 전압-전류특성, 장벽폭에 따른 P/V비와 RTD의 양자 우물 효과가 연구되었는데 P/V비는 장벽폭이 증가함에 따라서 지수함수적인 감소를 보였다.

Keywords