E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제6권3호
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- Pages.269-275
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- 1993
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
$N_2O$ 가스로 열산화된 게이트 산화막의 특성
Electrical properties of the gate oxides by thermal oxidation in $N_2O$ gas
초록
미래의 ULSI 소자의 게이트 산화막으로 이용하기 위하여
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