A study on the experimental fabrication and analysis of power IGBT

Power IGBT의 개발에 관한 연구

  • 성만영 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김영식 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 박정훈 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 박성희 (호서대학교 전자공학과)
  • Published : 1993.05.01

Abstract

LIGBT의 전압-전류 특성을 디자인 파라미터와 공정 파라미터를 포함한 SPICE Simulation으로 확인하였다. 중요한 파라미터는 p-body와 n$^{-}$층 그리고 p$^{+}$ 애노드로 구성된 pnp bipolar transistor의 수평전류이득이었다. 이 전류 이득은 Ebers-Moll등식으로 얻었다. LIGBT의 On 저항은 채절 저항(R$_{E}$ )과 인가된 게이트 전압에 종속되는 유효 벌크 저항(R2)으로 구성되며 On 저항의 해석과 모델링은 디바이스의 디자인 조건을 최적화하기 위해서 기하학적 구조와 도핑 프로파일에 따른 물리적 특성으로부터 전개하여 특성해석을 위한 모델링을 실시하여 제시하였다.

Keywords