Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

A study on the two-dimensional of modeling for the submicon MOSFET

Submicron MOSFET의 2차원적 모델링에 관한 연구

  • 홍순석 (홍익대학교 전자전산기공학과) ;
  • 이정일 (홍익대학교 전자전산기공학과) ;
  • 여정현 (홍익대학교 전자전산기공학과)
  • Published : 1993.01.01
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Abstract

본 논문은 fitting 파라미커를 배제하고 2차원적 Poisson 방식을 도출해서 Submicron MOSFET의 model식을 완전히 해석적으로 성립시켰다. 이로 인해 포화영역, 문턱전압, 강반전에 대한 것이 동시에 표현되는 정확한 드레인 전류가 유도되었다. 더욱이 이 model은 short-channel과 body효과, DIBL효과, 그리고 carrier운동에 대한 것도 설명할 수 있으며 온도와 n$^{+}$접합, 산화층에 관련되는 문턱전압도 표현할 수 있었다.

Keywords