Analytical Science and Technology (분석과학)

The Korean Society of Analytical Sciences (한국분석과학회)
권호 표지

SIMS analysis of the behavior of boron implanted into single silicon during the Ti-silicide formation

Ti-silicide 박막 형성시 규소 기판에 이온 주입된 붕소 거동에 대한 SIMS 분석

  • 황유상 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 백수현 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 조현춘 (산업기술정보원 전자전기실) ;
  • 마재평 (호남대학교 전자공학과) ;
  • 최진석 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 강성건 (한양대학교 재료공학과)
  • Received : 1992.04.02
  • Published : 1992.06.25
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Abstract

Ti-silicide was formed by using metal-Ti target and composite target on the silicon substrate that $BF_2$ were introduced into. Implant energies of $BF_2$ were 50keV and 90keV. The behavior of boron was investigated by SIMS. The redistribution of boron occurred during the formation of Ti-silicide by metal-Ti target and the sample implanted at the energy of 50keV showed severe out-diffusion. In the case that Ti-silicide was formed by composite target, there was little redistribution of boron.

$BF_2$를 50keV, 90keV로 에너지를 달리하여 주입한 실리콘 기판에 타이타늄을 sputter하여 Ti-slicide를 형성한 시편과 composite target을 사용하여 Ti-silicide를 형성한 시편을 준비하였다. Ti-silicide 형성시 boron의 거동을 SIMS(secondary ion mass spectrometry)로 분석하였다. Metal-Ti target을 사용한 경우 Ti-silicide 형성시 불순물들이 재분포하였으며 이온 주입 에너지가 작은 경우 심한 out-diffusion이 발생하였다. 한편 Composite target을 사용한 경우 거의 재분포가 발생하지 않고 안정된 boron의 분포를 보였다.

Keywords