Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)
- Volume 2 Issue 5
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- Pages.383-386
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- 1992
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
Short Consideration on the Non-Uniformities Existing at the Etched-edges in Deep Anisotropic Etching of(100) Silicon
(100) 실리콘의 깊은 이등망성 식각시 석각면의 가장자리에 존재하는 불균일성의 짤막한 고찰
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Ju, Byeong-Kwon
(Div. Applied Science and Engineering, KIST)
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- Ha, Byeoung-Ju (Dept. Electronic Engineering, Seoul City University) ;
- Kim, Chul-Ju (Dept. Electronic Engineering, Seoul City University) ;
- Oh, Myung-Hwan (Div. Applied Science and Engineering, KIST) ;
- Tchah, Kyun-Hyon (Dept.of Electronics Engineering, Korea University)
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주병권
(KIST 이공학연구단)
;
- 하병주 (서울시립대학교 전자공학과) ;
- 김철주 (서울시립대학교 전자공학과) ;
- 오명환 (KIST 이공학연구단) ;
- 차균현 (고려대학교 전자공학과)
- Published : 1992.10.01
Abstract
In deep anisotropic etching of (100)-oriented Si substrate, it could be observed that the non-uniformities existing near the etched-edge were caused by lattice defects and mechanical stress at the etching interface.
(100) 실리콘 기판에 대해 깊온 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의 가장자리에 존재하는 욜균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에 의한 것임을 판찰할 수 있었다.
Keywords