Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)
- Volume 2 Issue 4
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- Pages.285-292
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- 1992
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
Material and Electrical Characteristics of Oxynitride Gate Dielectrics prepared in $N_2$ O ambient by Rapid Thermal Process
RTP로 $N_2$ O 분위기에서 제조한 Oxynitride Gate 절연체의 물질적 전기적 특성
- Park, Jin-Seong (SEMICONDUCTOR BUSINESS SAMSUNG ELECTRONICS INDUSTRIES Co. Ltd) ;
- Lee, Woo-Sung (SEMICONDUCTOR BUSINESS SAMSUNG ELECTRONICS INDUSTRIES Co. Ltd) ;
- Shim, Tea-Earn (SEMICONDUCTOR BUSINESS SAMSUNG ELECTRONICS INDUSTRIES Co. Ltd) ;
- Lee, Jong-Gil (SEMICONDUCTOR BUSINESS SAMSUNG ELECTRONICS INDUSTRIES Co. Ltd)
- 박진성 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타 연구4실) ;
- 이우성 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타 연구4실) ;
- 심태언 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타 연구4실) ;
- 이종길 (삼성전자(주) 반도체 부문 기반기술센타 연구4실)
- Published : 1992.08.01
Abstract
Ultrathin(8nm) oxynitride (SiOxNy) film have been formed on Si(100) by rapid thermal processing(RTP) in
Si(100) 웨이퍼를 사용하여 RTP 장비에서
Keywords