한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
- 제2권3호
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- Pages.180-190
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- 1992
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
텅스텐 할로겐 램프를 사용하는 ZMR공정의 매개변수 최적화에 관한 연구
A Study on Optimization of Process Parameters in Zone Melting Recrystallization Using Tungsten Halogen Lamp
- 최진호 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
- 송호준 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
- 이호준 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
-
김충기
(한국과학기술원 전기 및 전자공학과)
- Choi, Jin-Ho (Dept.of Electrical Engineering, KAST) ;
- Song, Ho-Jun (Dept.of Electrical Engineering, KAST) ;
- Lee, Ho-Jun (Dept.of Electrical Engineering, KAST) ;
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Kim, Choong-Ki
(Dept.of Electrical Engineering, KAST)
- 발행 : 1992.06.01
초록
ZMR공정에서 발생하기 쉬운 폴리실리콘의 엉김현상(agglomeration), 슬림, 그리고 실리콘기판이 국부적으로 녹는 현상 등을 방지하기 위한 방법과 재결정화된 박막의 질을 향상시키기 위하여 폴리실리콘과 보호 산화막(capping oxide)두계를 변화시킨 실험 결과를 서술한다. 폴리실리콘의 엉김현상은 폴리실리콘과 보호 산화막 그리고 폴리실리콘과 매몰 산화막(buried oxide)의 계면에서의 wetting각과 관계되는데, 엉김현상을 방지하기 위해서는 암모니아 가스 분위기에서
Some solutions to several major problems in ZMR such as agglomeration of polysilicon, slips and local substrate melting are described. Experiments are performed with varying polysilicon thickness and capping oxide thickness. The aggmeration can be eliminated when nitrogen is introduced at the capping oxide layer-to-polysilicon interface and polysilicon-to-buried oxide layer interface by annealing the SOI samples at
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