Humidity Characteristics of $SnO_2/TiO_2$ Thick Film Devices

$SnO_2/TiO_2$후막소자의 감습특성

The $SnO_2/TiO_2$ thick film type humidity sensing devices containing 5 to 50 wt% $TiO_2$ have been fabricated by a typical screen printing technique. The surface crystal structure and microstructure were investigated by XRD, SEM and FTIR analyses. And the measurement of sensing characteristics of the thick film devices have been carried out. The crystalline phase of the thick flus were mainly identified as $(SnO_2){\cdot}6T$ crystal structure with XRD analysis, and the thick films sintered at $1300^{\circ}C$ showed an average particle size of $2.0{\mu}m$. The $SnO_2/TiO_2$ device sintered at $1300^{\circ}C$ containing 10 wt% $TiO_2$ showed high sensitivity to humidity in the range of R.H. 20-90%.

$TiO_2$가 5-50wt%첨가된 $SnO_2/TiO_2$ 후막형 감습소자를 스크린 프린팅 법을 이용하여 제조 하였다. 소자의 표면결정구조를 XRD, SEM 그리고 FTIR로 조사하였으며, 전기적 특성에 의한 후막소자의 감습특성을 측정하였다. $SnO_2/TiO_2$ 후막은 $TiO_2$ 결정상 보다 주로$(SnO^2){\cdot}6T$ 결정상으로 나타났으며, $1300^{\circ}C$에서 소결된 후막소자의 평균입경은 $2.0{\mu}m$이었다. 또한 $1300^{\circ}C$에서 소결된 10wt% $TiO_2$가 첨가된 $SnO_2/TiO_2$ 후막소자는 상대습도 20-90%에서 높은 감습특성을 나타내었다.